Spintronic materials and devices laboratory

자성·비자성 다층 박막에서 spin을 제어합니다. ion irradiation과 전압으로 계면을 설계해 magnetization reversal 전류와 시간을 줄이고, 이를 SOT-MRAM array 기반 PIM 소자로 잇습니다. electric-field 효과와 ion migration에 의한 magneto-ionic 효과가 한 구조에 공존한다 synthetic antiferromagnet과 antiferromagnet의 빠른 spin dynamics를 함께 활용한다 연구단 과제 「AI 연산을 위한 신소자 기반 1 Kb SOT-MRAM MUX 어레이 공정 및 소자기술 개발」로 수행 중. 회로 설계와 연산 시연은 연구단의 다른 팀이 맡는다 Field-free SOT switching한쪽만 조사해 symmetry를 깨면 보조 자기장 없이 전류만으로 자화가 반전된다 In-memory computingMRAM crossbar array에서 multiply-accumulate 연산이 열 단위로 수행된다