나노 전자소자 및 재료 연구실(Nano Electronic Devices & Materials Lab)

본 연구실에서는 차세대 로직 소자, 메모리 소자, 뉴로모픽 & PIM 소자 및 시스템, 3차원 이종집적 소자 및 공정, 패키징 소재 및 공정 분야에서 다양한 전자 재료, 반도체 공정 및 분석을 활용하여 연구를 수행하고 있습니다. 재료의 물리∙화학적 특성을 이해하고 이를 바탕으로 다양한 반도체 소자를 제작하고 전기∙광학∙화학∙물리적인 특성을 분석/해석합니다. 구체적으로 TFET, FeFET, NCFET, CFET 등의 로직 소자, 차세대 DRAM, ReRAM, CBRAM, PRAM, SOM, 3D 플래시 등의 메모리 소자, Memristor 및 3-terminal 기반의 뉴로모픽 & PIM 소자 및 시스템, 3차원 이종 (Heterogeneous) 집적 소자 및 공정, 패키징 소재 (PID, ABF 등) 및 패키징 공정 (RDL, 패키징 기판, 하이브리드 본딩, TGV 등)을 연구하고 있으며 다양한 박막 재료 및 반도체 공정 기술 개발에도 참여하고 있습니다. Our research activities consist of material, process, device and characterization for various advanced semiconductor devices in logic, memory, neuromorphic & PIM, 3D heterogeneous integration and packaging materials & process. These devices include TFET, FeFET, NCFET, and CFET for logic device, Advanced DRAM, ReRAM, CBRAM, PRAM, SOM and 3D flash memory for memory device, Memristor and 3-terminal devices for artificial synapse and neuromorphic & PIM device and system, 3D heterogeneous devices and integration, and packaging materials (PID, ABF) and packaging processing (RDL, package substrate, hybrid bonding, TGV etc). In addition, various semiconductor materials and process technology are being researched.